Hledej Zobraz: Univerzity Kategorie Rozšířené vyhledávání

12 663
projektů

Unipolární tranzistory (tranzistory řízené elektrickým polem)

«»
Přípona
.doc
Typ
přednášky
Stažené
0 x
Velikost
0,2 MB
Jazyk
český
ID projektu
6431
Poslední úprava
24.08.2015
Zobrazeno
1 425 x
Autor:
jiri.hosko
Facebook icon Sdílej na Facebooku
Detaily projektu
Popis:
10. Unipolární tranzistory (tranzistory řízené elektrickým polem)

- u bipolárních tranzistorů je k jejich řízení zapotřebí malý řídící výkon.U unipolárních tranzistorů se k jejich řízení používá pouze řídící napětí,bezproudové,tudíž k řízení není potřeba výkonu.

FET - unipolární se nazývají proto,že vedení proudu se účastní vždy pouze většinové nosiče náboje, tj. jen náboje jedné polarity.

Základní druhy: 1) tranzistory řízené elektrickým polem s izolační vrstvou (MIS,MOS)
a)s indukovaným kanálem
b)s vodivým kanálem

2)Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodovým hradlem (JFET)
3) Se Schottkyho kontaktem (MESFET)

Tranzistor MISFET,MOSFET s indukovaným kanálem

Popis,provedení a funkce NPN: v základní destičce vodivosti typu P jsou difúzí vytvořeny dvě silně dotované oblasti N+ emitoru a kolektoru.Ve střední části je základní destička pokryta vrstvou izolantu o tlouštce cca. 10-7 m.Na této izolační vrstvě je nanesena kovová řídící elektroda G.

Klíčová slova:

tranzistor

elektrické pole

indukovaný kanál

MOSFET

vodivý kanál

charakteristika



Obsah:
  • Tranzistor MISFET,MOSFET s indukovaným kanálem
    Převodní charakteristika
    Výstupní charakteristika
    MOSFET/MISFET s vodivým kanálem
    Převodní charakteristika
    Výstupní charakteristika
    Tranzistor řízený elektrickým polem s přechodovým hradlem (JFET)
    Převodní charakteristika
    Výstupní charakteristika
    MESFET - tranzistor se Schottkyho kontaktem
    Základní parametry unipolárních tranzistorů
O souborech cookie na této stránce

Soubory cookie používáme pro funkční účely, pro shromažďování a analýzu informací o výkonu a používání stránky.

Nastavení Povolit vše