Hledej Zobraz: Univerzity Kategorie Rozšířené vyhledávání

12 659   projektů
0 nových

Dynamické vlastnosti tranzistorů MOS

«»
Přípona
.pdf
Typ
prezentace
Stažené
0 x
Velikost
0,8 MB
Jazyk
český
ID projektu
6110
Poslední úprava
06.07.2015
Zobrazeno
1 074 x
Autor:
agata.kucova
Facebook icon Sdílej na Facebooku
Detaily projektu
Popis:
Dynamické parametry v lineárním režimu jsou nejvíce ovlivněny kapacitami CGD, CGS, CDS

Kapacity CGS a CDS způsobují reaktanční charakter vstupní a výstupní impedance a jejich pokles na vyšších frekvencích.

Kapacita CGD způsobuje zpětnou vazbu v zesilovači s tranzistorem MOS, která často vede až k jeho nestabilitě a fiktivní nárůst vstupní kapacity (Millerův jev)
CIN = CGS + (1 + Au) CGD

Protože napěťové zesílení (Au) tranzistoru MOS může být velké, má často i kapacita CGD rozhodujíci vliv na vstupní kapacitu tranzistoru.

Klíčová slova:

tranzistor

MOS

dynamika

rozpínání

struktury

konstrukce



Obsah:
  • Dynamické vlastnosti tranzistorů mos
    Spínání
    Rozpínání
    Konstrukce
    Hexfet
O souborech cookie na této stránce

Soubory cookie používáme pro funkční účely, pro shromažďování a analýzu informací o výkonu a používání stránky.

Nastavení Povolit vše