Hledej Zobraz: Univerzity Kategorie Rozšířené vyhledávání

12 659   projektů
0 nových

Tranzistor JFET

«»
Přípona
.pdf
Typ
prezentace
Stažené
0 x
Velikost
0,7 MB
Jazyk
český
ID projektu
6112
Poslední úprava
06.07.2015
Zobrazeno
1 102 x
Autor:
agata.kucova
Facebook icon Sdílej na Facebooku
Detaily projektu
Popis:
TRANZISTOR JFET

Odpor vodivého kanálu mezi elektrodami drain a source, na kterém není přechod, je ovládán napětím na elektrodě gate

Běžná konstrukce: ochuzovaný kanál
- substrát s vodivostí P
- vestavěný kanál vodivosti N
- hradlo s vodivostí P, přiložením záporného napětí jsou vytlačovány nosiče z kanálu

KONSTRUKCE

Vyloučení vzniku neřízeného kanálu- oblast drain je ze všech stran uzavřena hradlem
Systém je vytvořen na substrátu s vodivostí P epitaxí jsou naneseny 2 vrstvy:
vestavěný kanál N
hradlo P
V rovině je systém ohraničen hlubokými difúzemi P
Difúze N omezuje oblast hradla a vytváří propojení kanálu se spojovací sítí na povrchu destičky

Klíčová slova:

tranzistor

konstrukce

MOSFET

charakteristiky

pracovní oblast

hradlo



Obsah:
  • Tranzistor jfet
    Konstrukce
    Fet s schottky hradlem
    Tranzistor mosfet
    Typické charakteristiky
    Bezpečná pracovní oblast
O souborech cookie na této stránce

Soubory cookie používáme pro funkční účely, pro shromažďování a analýzu informací o výkonu a používání stránky.

Nastavení Povolit vše